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PCB静电防护设计

编辑:PCB    来源:未知    发布时间:2019-10-21 16:20    浏览量:
     PCB静电防护设计的一些其他措施如下。 
     1:不同的电子元器件的抗静电敏感度是不一样的。对于电子元器件的抗静电能力,一般规定静电损伤电压超过16kV的为静电不敏感器件,低于16kV的为静电敏感器件。电子元器件的静电敏感度一般分为3级。1级静电放电敏感元器件的电压≤2kV,2级静电放电敏感器件的电压为2~4kV,3级静电放电敏感元器件的电压为4~16kV。 
     对静电放电敏感的元器件有微波器件(肖特基二极管,点接触二极管和f≥1GHz的检波二极管)、MOS场效应晶体管(MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)、声表面波器件(SAW)、电荷耦合器件(CCD)、精密稳压二极管、运算放大器(OP AMP)、集成电路(IC)、混合电路、特高速集成电路(VHSIC)、薄膜电阻器、精密电阻网络(RZ型)、可控硅整流器、光电器件(光电二极管、光电晶体管、光电耦合器)、片状电阻器、混合电路、压电晶体等。 
     在电路设计中选择元器件时,需要考虑元器件的抗静电能力,特别是接口器件。如果选择不到更高抗静电能力的元器件时,需要对抗静电能力差的元器件采取保护措施。 
     2:印制板(多层板)应装在靠近接插件、钥匙锁的部位;模拟接地面、数字接地面、功率接地面、继电器接地面、低电平电路接地面等接地面要多点相连;与后背板相连的插座同样要用多排插针接地;内部电路(包括地)同样应离开接插件金属壳体6~8mm以上。 
3:对干扰源、高频电路和静电敏感电路,应实现局部屏蔽或单板整体屏蔽,或者采用护沟和隔离区的设计方法。 
4:试验证明,由静电放电引起的干扰脉冲是一个按指数规律衰减的受调制的正弦波,含有丰富的高频分量,因此,应对电源进线和信号进线用滤波器滤波,在电源和地之间用高频电容器去耦;电源输入端可用LC网络滤波;对射频组件的向外引线应用穿心电容器滤波或采用带滤波器的接插件进行滤波。 
5:在器件的电源、地脚附近添加不同频率的滤波电容(不同容值的电容组合使用)。集成电路的电源和地之间应添加去耦电容,去耦电容要并接在同一芯片的电源端和接地端,并且紧靠被保护的芯片安装。对于电源和地有多个引脚的大规模集成电路,可设置多个去耦电容。对于动态RAM器件,去耦电容的容量应较大。 对于大规模集成电路,尤其是专用CPU, EEPROM, Flash Memory, EPLD, FPGA等类型芯片,每个去耦电容应并接一个充放电电容。对于小规模集成电路,每10片也要加接一个充放电电容。该电容以10pF的钽电容或聚碳酸醋电容为宜。

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